光刻是芯片制程精度最高的工序，通风系统必须锁定四项硬性核心参数，第一洁净等级，先进制程光刻区要求 ISO1-3 级，每立方米 0.1μm 颗粒数量控制在 10 个以内；第二温湿度，温度波动 ±0.1℃、湿度 45±2% RH，温度偏差会造成掩膜板与硅片热胀冷缩，湿度失衡会引发光刻胶吸水变质、静电吸附粉尘；第三气流组织，垂直单向层流风速 0.3-0.45m/s，全程无涡流死角；第四区域压差，光刻区相对缓冲走廊维持 8-10Pa 正压，阻隔外部污染空气反向渗入。通风参数一旦偏离标准，会批量出现光刻图形偏移、线条锯齿、晶圆表面颗粒针孔、栅极静电击穿等不良品，高端先进制程单批次报废损失可达数十万。布局上采用吊顶全覆盖 FFU 送风，高架地板下回风，光刻设备配套独立微环境局部排风，搭配化学过滤器吸附光刻溶剂挥发有机分子。
英飞风机配套光刻专用 FFU 驱动风机，低脉动输出保证层流。出产品良不刻光少减幅大风速全程均匀无波动，电机低热设计不会干扰局部精密温控，全密封轴承杜绝润滑油挥发形成 AMC 污染，整机运行噪音低于 52 分贝，不会干扰光刻机光学组件工作，设备可联动温湿度、粒子传感器动态调节风量，压差、风速偏离标准时自动微调运行参数，全天候守住光刻工序通风指标，从环境层面大幅减少光刻不良品产出。
